]article_adlist-->前言：日本光电宣布6英寸β相氧化镓单晶衬底试产良率突破72%，计划2027年实现规模化量产。
紧接着丰田汽车与东芝联合发布基于氧化镓器件的车载逆变器原型机，预计2029年搭载到丰田纯电量产车型。
这两则消息的背后，是日本举全国之力，押注第四代半导体材料氧化镓的战略布局。
]article_adlist-->作者 | 方文三图片来源 |网 络
被低估的“终极材料”，氧化镓的核心价值
半导体材料的代际划分，核心是禁带宽度、击穿电场、综合性能等关键参数的代际跃升。
第一代半导体以硅为核心，从消费电子芯片到工业功率器件，硅基技术的成熟度无可替代。
第二代砷化镓主要用于射频通信领域。
第三代碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），也就是当前市场的热门宽禁带半导体，已经在新能源汽车、快充、光伏逆变器等场景实现规模化应用。
而β相氧化镓（β-Ga₂O₃），被业内定义为第四代半导体材料，它的核心优势，来自天生的材料属性带来的性能碾压。
①禁带宽度的绝对优势：禁带宽度直接决定了半导体材料的耐压能力、耐高温与抗辐射性能，数值越高，材料在高压大功率场景的适配性越强。
硅的禁带宽度为1.12eV，SiC为3.2eV，GaN为3.4eV，而β-Ga₂O₃的禁带宽度达到4.8-4.9eV，是硅的4倍以上，较SiC、GaN高出近50%。
这意味着氧化镓天生适配超高压、大功率的应用场景，在电网输配电、轨道交通、新能源汽车高压平台等领域，拥有其他材料无法比拟的先天优势。
②功率半导体核心指标的全面领先：现代功率半导体之父巴利加提出的Baliga优值（BFOM），是衡量功率半导体材料综合性能的核心标尺，数值越高，材料的导通损耗越低、效率越高。
以硅的BFOM为1作为基准，4H-SiC的BFOM为300，GaN为840，而β-Ga₂O₃的BFOM达到了3440，是SiC的11倍有余，硅的3400多倍。
这个数据直接划定了氧化镓在功率器件领域的性能天花板，是现有材料无法通过工艺优化追平的差距。
③更具颠覆性的是成本优势：当前SiC衬底价格居高不下，核心原因是其生长工艺为气相法，需要在高温高压环境下缓慢生长，晶锭生长速度慢、良率低，成本很难下探。
而氧化镓单晶衬底可采用熔体法生长，与当前硅单晶的生长工艺逻辑相近，无需高压环境，生长速度是SiC的10倍以上。
理论上未来氧化镓衬底的成本可降至与硅衬底相当的水平，仅为SiC衬底的1/10甚至更低。
这意味着氧化镓在实现性能跃升的同时，还能完成成本的下探，这是它能够实现大规模商业化的核心底气。
④市场空间极具想象空间：新能源汽车的逆变器与高压充电桩、光伏与储能逆变器、电网高压输配电设备、轨道交通牵引变流器、航空航天与国防军工高压电源，这些都是功率半导体的核心市场。
根据法国市场研究机构Yole Développement预测，到2030年，全球氧化镓功率器件的市场规模将突破20亿美元，到2040年将超过200亿美元，逐步成长为功率半导体市场的主流材料之一。
日本all in 氧化镓的深层逻辑
日本在硅基与第三代半导体赛道，已经失去了翻盘的可能。
到2024年，日本芯片的全球市场份额已不足10%，在逻辑芯片、先进制程制造、存储芯片领域，已经被美国、韩国、中国台湾地区拉开了无法追赶的差距。
在第三代半导体SiC与GaN赛道，日本同样没有先发优势。
核心专利已被欧美企业垄断，市场份额不足10%，想要在这条已经形成固化格局的赛道实现反超，难度极大。
因此，日本唯一的选择，就是换道超车，找到一条尚未形成垄断格局、能够发挥自身优势的全新赛道，而氧化镓正是那个完美的选择。
氧化镓的产业属性，完美匹配了日本的产业优势，同时避开了它的核心短板。日本半导体产业的核心长板，是材料。
全球半导体材料市场中，日本企业的份额超过50%，硅片、光刻胶、特种气体、靶材等半导体制造核心材料，日本企业都处于垄断地位。
而氧化镓产业化的核心，正是单晶衬底与外延片的制备，这刚好是日本最擅长的领域。
日本半导体产业的核心短板，是先进制程制造能力。
而氧化镓功率器件，不需要先进制程支撑，采用180nm、130nm的成熟制程即可生产，这刚好完美避开了日本的产业短板。
氧化镓这条赛道，比拼的核心并非先进制程能力，而是材料制备的技术功底、专利布局的深度、产业链的协同能力，而这些，恰恰都是日本的强项。
日本是资源极度匮乏的国家，90%以上的能源依赖进口，能源安全是日本的国家核心利益。
而氧化镓功率器件，能够大幅提升能源利用效率，减少能源损耗。
采用氧化镓器件的光伏逆变器，转换效率可从当前的98%提升至99.5%以上，每年可减少海量的电能损耗。
电网输配电设备采用氧化镓器件，可将线损降低30%以上；新能源汽车搭载氧化镓逆变器，续航可提升10%以上，同时实现更快的充电速度。
日本的光伏产业、家电产业、工业设备产业，这些曾经的优势领域，如今都面临着激烈的全球竞争，氧化镓带来的技术壁垒，能够让日本企业重新获得差异化的竞争优势。
这是日本在全球半导体地缘重构中的卡位，当前全球半导体产业正在经历百年未有之大变局，美中对抗带动产业链重构，各国都在追求半导体产业链的自主可控。
从实验室到专利壁垒的全面卡位
日本敢于把芯片产业的未来押注在氧化镓上，核心底气来自它在这条赛道已经构建起全球最深厚的技术护城河。
2007年，NICT研究团队首次实现β-Ga₂O₃单晶衬底的可控生长，成功制备出全球首个氧化镓肖特基二极管（SBD），让氧化镓从实验室材料走向了器件化的可能。
2025年11月，NICT联合东京大学、初创企业FLOSFIA制备出击穿电压达到15.4kV的氧化镓功率MOSFET器件，刷新了全球氧化镓MOSFET的最高击穿电压纪录。
NICT的这项突破，相当于为氧化镓的全场景商业化打开了最关键的一扇门。
在衬底这个氧化镓产业链的最核心环节，日本企业已经实现了全球领先的量产能力。
2023年，日本光电率先实现4英寸β-Ga₂O₃单晶衬底的量产，良率稳定在60%以上，成为全球首个实现氧化镓衬底量产的企业。
2025年，其6英寸衬底试产良率突破70%，计划2027年实现量产，这一进度较全球其他国家至少领先2-3年。
除了日本光电，田村制作所、住友化学、三菱化学也在氧化镓衬底领域深度布局，形成了全技术路径的覆盖，避免了同质化竞争的内耗。
在外延环节，日本企业更是构建了几乎无法突破的专利壁垒。由NICT孵化的初创企业FLOSFIA，掌握了全球独家的雾状CVD（Mist CVD）外延技术。
这项技术可在低温环境下实现氧化镓外延层的高质量生长，成本仅为传统MOCVD技术的1/5，同时具备更高的良率与片内均匀性。
根据WIPO发布的报告，截至2023年底，全球氧化镓相关专利申请总量超过1.4万件。
其中日本的申请量占比达到65%，稳居全球第一，远超第二名美国的14%与第三名中国的12%。
在氧化镓单晶生长、外延制备、器件制造的核心技术领域，日本的专利占比更是超过70%。
这意味着，未来如果氧化镓成为功率半导体的主流材料，全球任何一家企业想要生产氧化镓器件，都很难绕开日本的核心专利，需要向日本企业支付相应的专利授权费用。
结尾：
日本对氧化镓的布局，其实体现了一种非常清晰的产业思路：在成熟产业里，日本选择材料端；在新产业里，日本抢占材料源头。
氧化镓的真正价值，并不仅仅在于一个新半导体材料。更重要的是谁掌握材料，谁就掌握产业的起点。
如果第四代半导体时代真正到来，氧化镓很可能成为日本重新夺回半导体话语权的重要筹码。
部分资料参考：半导体行业观察：《氧化镓，爆发前夜》，实学派：《氧化镓：改写半导体规则的“战争金属”，一场被低估的材料革命》，亚洲氧化镓联盟：《日本国立材料研究所：基于伪立方氧亚晶格绘制β-Ga₂O₃的初级晶面图》
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